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题名 · 作者 · 摘要 · 关键词 · DOI · 参考文献

基于GaAs pHEMT工艺的宽带低插损六通道开关滤波器芯片

刘彦宁,王测天,廖学介,李圣君,陆雨茜,邓春

(成都嘉纳海威科技有限责任公司,四川 成都 610220)

栏目:通信工程 · 第 2026 年第 20 期 · 页码:1-5,11 · 2096-4706(2026)20-0001-06 · 中图分类号:TN713 · 文献标识码:A · DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2026.20.001

摘要

基于国产0.25 μm GaAspHEMT工艺,对一款1.5~8.5 GHz宽带低插入损耗6通道开关滤波器芯片进行了设计。该芯片由单刀六掷射频开关、带通滤波器和开关驱动器构成。射频开关采用场效应晶体管(FET)串-并联结合的结构;开关驱动器将滤波通道切换TTL(3.3 V)信号转换为一对FET开关栅控电压(0 V/-5 V);带通滤波器均由高/低通椭圆函数滤波器级联,通带插损小且带外抑制度高。经微波探针台实测,该芯片各通道带内插损均小于6.5 dB,回波损耗优于12 dB,典型带外抑制度大于40 dB。该高集成度、小尺寸的多通道开关滤波芯片在电子对抗、超宽带雷达接收机中具有广泛的应用前景。

关键词

砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT);宽带;低插入损耗;多通道开关滤波器;单片微波集成电路(MMIC)

参考文献

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作者简介

刘彦宁(1989—),男,汉族,山西阳泉人,工程师,博士研究生,研究方向:射频微波集成电路设计;王测天(1987—),男,汉族,四川成都人,正高级工程师,博士研究生在读,研究方向:硅基和化合物多功能芯片;廖学介(1985—),男,汉族,四川成都人,正高级工程师,博士研究生在读,研究方向:MMIC设计、功率放大器技术;李圣君(1992—),男,汉族,四川阆中人,硕士研究生,研究方向:硅基MMIC设计、功率放大器技术;陆雨茜(1994—),女,汉族,重庆人,工程师,硕士研究生,研究方向:射频微波集成电路设计;通信作者:邓春(1987—),男,汉族,四川宜宾人,高级工程师,博士研究生,研究方向:射频微波集成电路设计。