摘 要：一种采用氮化铝陶瓷基板、PIN二极管芯片，砷化镓（GaAs）单片LNA，应用MCM（多芯片模块）微组装技术设计的高集成射频接收前端模块，在1～3.5GHz频带内发射通路插入损耗小于0.4dB，可通过CW功率100W，接收通路（带开关）NF小于2.0dB，增益大于28dB，OIP3大于35dBm。模块为尺寸5mm×5mm×1.2mm的QFN封装，大幅减小了一般射频接收前端电路物理尺寸，可广泛应用于TD-SCDMA和TD-LTE系统。
关键词：氮化铝陶瓷；砷化镓LNA；MCM；接收前端
作者介绍：
匡珩（1984.02—），男，湖北汉川人，硕士毕业，工程师，研究方向：射频微波模块及组件方向的研究设计；梁庆山（1981.11—），男，江苏镇江人，工程师，硕士研究生，研究方向：微波射频电路设计。
High Integration RadioFrequency Receiving Front-end Module
KUANG Heng，LIANG Qingshan，HE Xu，HUANG Zhensong
Abstract：Using a kind of aluminumnitride ceramic substrates，PIN diode chip，GaAs MONOLITHIC LNA （GaAs），MCM（multi chip module）high integrated RF front-end module micro assembly technology design，in the 1～3.5GHz band transmission channel insertion loss is less than 0.4dB，through the CW power 100W（withthe receiving path switch）NF is less than 2．0dB，the gain is greater than 28dB and OIP3is greater than 35dBm．The module is a 5mm * 5mm * 1．2mm QFN package，which greatly reduces thephysical dimensions of the general RF receiver front-end circuit and can bewidely used in TD-SCDMA and TD-LTE system．
Keywords：AlN ceramic；GaAs LNA；MCM；receivingfront end
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