摘 要：图像延迟是CMOS图像传感器产品的一个非常重要的评估参数。在像素隔离区域中，不同的离子注入角度会对电路中TX器件（传输门晶体管）的电性参数造成影响，并将会导致产品图像的延迟。由于批量高能离子注入机台椎体效应会导致在同一片晶圆之内离子注入角度的不同，本文通过针对像素隔离区域不同的离子注入角度对图像延迟的关系进行研究，优化了离子注入的角度均匀性，改善在同一片晶圆之内图像延迟的一致性。
关键词：图像延迟；TX器件（传输门晶体管）；离子注入角度
作者介绍：
王劲松（1970.09—），男，湖南人。研究方向：集成电路。
Study on the RelationshipBetween the Ion Implantation Angle and the Image Delay in the Pixel Region ofCMOS Image Sensor
WANG Jinsong，NIU Jian，TIAN Sanhe
Abstract：Image delayis a very important evaluation parameter of CMOS image sensor products．In the pixel separation region，the differention implantation angle will affect the electrical parameters of the TX device（the transmission gate transistor）in thecircuit，and will lead to the delay of the product image．Due to the different ion implantation angle within a wafer bodyeffect of high energy ion implantation machine batch，usingthe ion pixel isolation region of different injection angles to study therelationship between image delay，optimization of theion implantation angle uniformity，improve theconsistency of delayed image within the same wafer．
Keywords：image delay；TX devices（transmission gate transistors）；ion implantation angle
参考文献:
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