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电子工程2020年7期

​高可靠 IGBT 器件复合封装方法研究
袁凤江
(佛山市蓝箭电子股份有限公司,广东 佛山 528051)

摘  要:为减少 IGBT 器件的击穿失效等问题,该文提出了一种复合封装 IGBT 芯片的方法,能够有效防止集电极和发射极过压 / 过流引起的失效问题;并针对复合封装芯片的可靠性问题,在框架上增加裙边和凹槽,采用抽真空塑封方式,克服了分层现象,通过了热阻检测和可靠性试验,该封装方法具有良好的应用前景和研究价值。


关键词:IGBT;复合封装;分层;可靠性



中图分类号:TN322+.8         文献标识码:A         文章编号:2096-4706(2020)07-0033-03


Research on High-reliability IGBT Device Compound Packaging Method

YUAN Fengjiang

(Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.,Foshan 528051,China)

Abstract:In order to reduce the breakdown failure of IGBT devices,this paper proposes a method of compound packaging IGBT chips,which can effectively prevent the failure problems caused by collector and emitter overvoltage/overcurrent;and aiming at the reliability of composite packaging chip,adding skirts and grooves on the frame,and using vacuum plastic packaging to overcome the delamination phenomenon,passed the thermal resistance detection and reliability test,the packaging method has good application prospects and research value.

Keywords:IGBT;compound package;delamination;reliability


参考文献:

[1] 杨林,严向阳,张国光 . 一种复合封装的 IGBT 器件:CN202996833U [P].2013-06-12.

[2] 杨林,严向阳,张国光,等 . 一种 IGBT 器件的复合装载连线方法:CN103065978A [P].2013-04-24.

[3] 窦泽春,刘国友,陈俊,等 . 大功率压接式 IGBT 器件设计与关键技术 [J]. 大功率变流技术,2016(2):21-25+34.

[4] 张斌 . 高压 IGBT 的设计与实现及功率器件可靠性研究 [D]. 杭州:浙江大学,2013.


作者简介:袁凤江(1971.09—),男,汉族,江苏淮安人,工程师,毕业于西安电子科技大学,硕士,研究方向:半导体技术。