摘 要：随着显示产业的迅猛发展，大尺寸、宽色域、高动态范围（HDR）和高亮度给薄膜晶体管（TFT）面板带来了更大的挑战。经过测试，在 40 000 nit 高亮度背光照明下，经过 500 小时照明，面板的充电能力衰减幅度高达 13%。其机理与TFT 结构密切相关，如栅极的功函数和栅极绝缘层（GI）的光学带隙（Eg）。经研究，通过将 GI 层光学带隙从 4.1 eV 提升到 4.7 eV，高亮度应力下衰减幅度从 13% 改善到了 1% 以下。
关键词：LCD；a-Si TFT；PECVD；高亮度
DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.02.011
基金项目： 深圳基础研究项目（JCYJ20200109140601691）；深港联合 - 协同创新专项（SGDX20190918105001787）
中图分类号：TN141 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2022）02-0043-05
Study and Amelioration of the High-Brightness Stability of Amorphous Silicon TFT
ZHANG Yajun1,2, YE Fake 1, LU lei 2, HAN S1, SEO G1
(1. Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd., Shenzhen 518132, China; 2.Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen 518071, China)
Abstract: Along with the rapid development of display industry, large size, wide color gamut, high dynamic range (HDR), and high light bring greater challenges to the thin-film transistor (TFT) backplane. After testing, under the illumination of back light with a high brightness of 40 000 nits, the range of decay of the backplane charging ability is up to 13% after illumination 500 hours. The mechanism is highly related with the architectures of TFT, such as the work function of gate electrode and optical band gap（Eg） of gate insulation (GI). After the study, by enlarging the optical band gap of GI from 4.1 eV to 4.7 eV, the range of decay has ameliorated from 13% to less than 1% under high-brightness stress.
Keywords: LCD; a-Si TFT; PECVD; high-brightness
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作者简介：张亚军（1990—），男，汉族，甘肃兰州人，工程师，硕士研究生在读，主要研究方向：G11 PECVD 制程工艺及器件特性改善。