摘 要：采用总栅宽 36 mm 的 0.5 um 工艺 GaN HEMT 功率管芯，通过合理选择目标阻抗、优化匹配网络，设计了一款包含扼流电路的 S 波段小型化内匹配功率管。在 +48 V、-3.1 V 工作电压下，2.7 ～ 3.4 GHz 内，功率管输出功率≥ 250 W，功率增益≥ 12 dB，功率附加效率≥ 60%，尺寸仅为 15 mm×6.6 mm×1.5 mm，重量仅为 0.6 g，显示出卓越的性能，具有广泛的工程应用前景。
关键词：功率管；GaN；内匹配；S 波段；小型化
DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.02.013
中图分类号：TN12 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2022）02-0052-04
Design of S-band Miniaturized Internal Matched Power Tube Based on GaN HEMT
WANG Xiaolong, ZHANG Lei
(The 13th Research Institute of China Electronics Technology Corporation, Shijiazhuang 050000, China)
Abstract: Using a 0.5 um process GaN HEMT power tube core with a total gate width of 36 mm, an S-band miniaturized internal matched power tube including choke circuit is designed by reasonably selecting the target impedance and optimizing the matching network. Under the working voltage of+48 V,-3.1 V and within 2.7～3.4 GHz, the output power of power tube is greater than or equal to 250 W, the power gain is greater than or equal to 12 dB, the power added efficiency is greater than or equal to 60%,and the size is only 15 mm×6.6 mm×1.5 mm, weight is only 0.6 g, shows excellent performance and has broad engineering application prospects
Keywords: power tube; GaN; internal matched; S-band; miniaturized
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作者简介：王晓龙（1988—），男，汉族，河北大名人，工程师，硕士，研究方向：功率放大器。