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电子工程22年6期

一种抗单粒子效应的加固技术研究
齐贺飞,王磊,王鑫,王绍权,张梦月
(中国电子科技集团第十三研究所,河北 石家庄 050051)

摘  要:针对数字波控电路在星载控制电路应用中存在的单粒子翻转效应问题,提出了一种基于 DICE 单元的双稳态 D 触发器设计改进,设计了一种能够抵御众多类型单粒子翻转效应的 D 触发器,并基于该 D 触发器,结合电路级单粒子加固技术设计了一款串并转换芯片。测试表明,采用改进 D 触发器结构的波控芯片能够抵御至少 80 MeV 的单粒子效应事件。芯片峰值功耗不大于 10 mA,写入速率不低于 10 MHz,功耗为 1 mW/MHz。


关键词:单粒子效应;抗辐照;三模冗余



DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.06.010


中图分类号:TN79                                      文献标识码:A                                  文章编号:2096-4706(2022)06-0041-05


Research on a Strengthening Technique against Single Event Effect 

QI Hefei, WANG Lei, WANG Xin, WANG Shaoquan, ZHANG Mengyue

(The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Shijiazhuang 050051, China)

Abstract: In view of the problem of single particle flip effect, which exits in the digital wave control circuit in load control circuit application, this paper puts forward a bistable D trigger design improvement based on DICE unit, designs a D trigger which can resist many types of single particle flip effect. And based on the D trigger, combined with circuit level single particle reinforcement technology, it designs a string and conversion chip. Tests show that a wave-control chip with an improved D-trigger structure can resist the Single Event Effect events of 80 MeV at least. The peak power consumption of the chip is not more than 10 mA, the write rate is not less than 10 MHz, and the power consumption is 1 mW/MHz.

Keywords: Single Event Effect (SEE); Radiation resistance; Triple Modular Redundancy


参考文献:

[1] 王占奎,方修成,刘兰坤 . 基于反熔丝技术的抗辐照数控校频专用集成电路 [J]. 半导体技术,2021,46(8):611-616.

[2] 林朝明 .0.13μm SMIC 抗辐照单元库的设计及验证 [D].西安:西安电子科技大学,2017

[3] 黄晔 . 同时针对 SEU/SET/MBU 的 MOS 集成电路抗辐射加固技术研究 [D]. 上海:上海交通大学,2009.

[4] 陈良 . 基于标准工艺的模数转换器抗辐照加固设计与验证[D]. 成都:电子科技大学,2016.

[5] 刘航嘉 . 抗辐照加固的 8B10B 编解码器的设计 [D]. 成都:电子科技大学,2017.

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作者简介:齐贺飞(1988—),男,汉族,河北石家庄人,工程师,硕士,研究方向:数字和模拟混合集成电路设计。