摘 要：本文介绍一种有效的氮化镓偏置电路，该电路不仅能够严格控制栅、漏极的上下电顺序，保证氮化镓功率器件可靠工作，同时兼具栅压温度补偿功能，保证器件的静态工作点稳定，从而获得稳定的射频性能。
关键词：氮化镓；偏置电路；栅压温补
中图分类号：TN61 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2018）07-0043-03
Gallium Nitride Power Device Biasing Circuit
XIE Luping
（Guangzhou Tai Pu Communication System Co.，Ltd.，Guangzhou 510663，China）
Abstract：The paper introduce an effective gallium nitride biasing circuit. This circuit can not only strictly control the upper andlower electrical order of the gate and drain，ensure the reliable work of the GaN power device，but also have the gate pressure temperaturecompensation function，which ensures the stable static working point of the device，thus obtaining stable RF performance.
Keywords：gallium nitride；bias circuit；gate voltage temperature compensation
参考文献：
[1] 童诗白，华成英. 模拟电子技术基础 [M]. 北京：高等教育出版社，2005.
[2] Substrates for GaN RF Devices.NitronexApplication Note.AN-011，2008.
[3] Bias Sequencing and Temperature Compensation for GaNHEMTs.NitronexApplication Note.AN-009，2008.
作者简介：谢路平（1981-），男，汉族，江西大余人，研发副部长，通信技术中级工程师，本科，研究方向：高效率线性宽带射频功率放大器。