摘 要：随着微电子技术的发展，微电子产品凭借体积小、功能全、智能化等特点越来越受到市场的欢迎，与此同时微电子的可靠性也随之被大家关心和重视，本文则对微电子器件的可靠性进行了研究，得出微电子的可靠性受热载流子、金属化、静电放电、栅氧化层等因素的影响，并针对这些原因，本文提出了相应的解决措施，旨在提高微电子器件的可靠性。
关键词：微电子器件；可靠性；热载流子；静电放电
中图分类号：TN601 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2018）10-0054-02
Discussion on the Reliability of Microelectronic Devices
LI Xiaosong
（Chizhou University，Chizhou 247000，China）
Abstract：With the development of microelectronic technology，microelectronic products are becoming more and more popularwith the characteristics of small size，full function and intelligentization. At the same time，the reliability of microelectronics has beenpaid more attention. In this paper，the reliability of microelectronic devices is studied，and the influence of the reliability of microelectronson the thermal carrier，metallization，electrostatic discharge and gate oxide layer is obtained. In view of these reasons，this paper puts forward corresponding solutions to improve the reliability of microelectronic devices.
Keywords：microelectronic devices；reliability；hot carrier；electrostatic discharge
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作者简介：李晓松（1997.11-），男，汉族，安徽淮南人，本科在读，研究方向：微电子科学与工程。