摘 要：随着芯片制造技术的不断发展，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片厚度不断减薄，同时为了增加过电流能力，栅极沟槽密度越来越大。芯片结构的变化对封装行业提出了新的挑战，尤其是铝线键合工艺。本文主要介绍了针对沟槽型场截止结构的绝缘栅双极型晶体管（Trench-FS IGBT）的键合技术。通过多次验证实验，深入研究铝线键合工艺对器件耐压及漏电特性的影响，并得出结论：器件的可靠性可以通过键合第一焊点分布、焊线参数及焊线线径大小三个因素来改善。
关键词：铝线键合；绝缘栅双极型晶体管；耐压；漏电
中图分类号：TN322.8 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2018）12-0041-03
Effect of Aluminum Wire Bonding Process on Voltage andLeakage Characteristics of FS-IGBT Devices
JIANG Wei，AO Libo，LIANG Saichang，LIU Yongqiang
（Telecommunication Institute of Gree Electric Appliances，Inc. of Zhuhai，Zhuhai 519070，China）
Abstract：With the development of chip manufacturing technology，the thickness of IGBT chip is getting thinner while thedensity of trench in gate need to be larger，so as to keep more current to get through. The change of chip structure leads to new challengein packaging，especially the aluminum wire bonding process. This paper mainly introduces the bonding technology of insulated gatebipolar transistor（Trench-FS IGBT） with groove field cut-off structure. The influence of aluminum wire bonding process on the voltagewithstanding and leakage characteristics of the device is studied through many verification experiments. It is concluded that the reliability ofthe device can be improved by three factors：the distribution of the first solder joint，the parameters of the solder wire and the diameter ofthe solder wire.
Keywords：aluminum wire bonding；insulated gate bipolar transistor；withstand voltage；leakage current
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作者简介：江伟（1990.01-），男，汉族，江西高安人，本科，功率半导体专业组长，研究方向：电力电子- 功率半导体。