摘 要：VDMOS 兼有双极晶体管和普通MOS 器件的优点并广泛应用于电源电路中，针对目前在国内VDMOS 器件生产中封装技术不能满足绝缘要求的问题进行了研究，提出了一种VDMOS 器件堆叠式内绝缘封装技术，使用这种封装方法，能够很好地提升期间的散热性能与绝缘强度。并对功率器件芯片进行了优化设计，提高了产品的综合性能，设计生产了具备自有绝缘功能、良好散热性能、并可以承载更大的功率损耗的BRCS740R 和BRCS840D 系列产品，填补了国内行业的生产空白。
关键词：VDMOS；堆叠式；封装；工艺设计
中图分类号：TN305 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2020）10-0038-03
Development of High Voltage Power Devices Based on Stack Structure
YAO Jianfeng
（Foshan Blue Rocket Electronics Co.，Ltd.，Foshan 528051，China）
Abstract：VDMOS has the advantages of bipolar transistors and common MOS devices，and is widely used in power supply circuits. Aiming at the problem that the packaging technology in domestic VDMOS device production can not meet the insulation requirements，a stacked internal insulation packaging technology for VDMOS devices is proposed，which can improve the heat dissipation performance and insulation strength during the period. The power device chip was optimized and the comprehensive performance of the products was improved. The BRCS740R and BRCS840D series products with self insulation function，good heat dissipation performance and bearing greater power loss were designed and produced，which filled the production gap of domestic industry.
Keywords：VDMOS；stacking；packaging；process design
参考文献：
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作者简介：姚剑锋（1967.01—），男，汉族，江西婺源人，毕业于西安交通大学，研究生，高级工程师，研究方向：微电子技术。