摘 要：氮化镓（GaN）材料具有宽禁带宽度、高击穿场强等综合优势，通过对比氮化镓晶体管和硅功率器件参数，说明了氮化镓器件在工作频率和电路效率方面的优势。使用氮化镓晶体管替代硅基功率器件，设计了一款带有同步整流的 BUCK 变换器。测试结果显示：电路可以在较高的频率下工作，缩小了滤波电路的体积，在轻载时电路进入脉冲跳跃模式，结合氮化镓晶体管在效率方面的优势，电路整体效率均保持在较高水平。
关键词：氮化镓；BUCK；电源变换器
DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2021.05.018
中图分类号：TM46 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2021）05-0073-03
A BUCK Converter Based on GaN Transistor
TAN Chao，WANG Xin，LI Bo
（The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation，Shijiazhuang 050051，China）
Abstract：Gallium nitride（GaN）material has the comprehensive advantages of wide band gap and high breakdown field strength. By comparing the parameters of GaN transistor and silicon power device，the advantages of GaN device in working frequency and circuit efficiency are illustrated. A BUCK converter with synchronous rectification is designed by using GaN transistors instead of Silicon based power devices. The test results show that the circuit can work at a higher frequency，which reduces the size of the filter circuit. When the load is light，the circuit enters the pulse jump mode. Combined with the efficiency advantage of GaN transistor，the overall efficiency of the circuit remains at a high level.
Keywords：GaN；BUCK；power converter
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作者简介：谭超（1979—），男，汉族，山东安丘人，高级工 程师，本科，研究方向：电源及微波模块设计工作。