摘 要：针对传统内匹配功率放大器在 L 波段及以下频段匹配用键合线过长的问题，采用微带结构进行替代，并通过优化电路布局，缩小了电路尺寸；简化级间匹配电路，进一步缩小电路尺寸；输入匹配电路采用低端增益抑制电路，解决了低端增益过高的问题。最终研制了一款 1.2 ～ 1.4 GHz 的功率放大器。测试结果表明在漏源电压 28 V、脉宽 200 us、占空比 20% 状态下，功率增益大于 25 dB，输出功率全部达到了 80 W，功率平坦度为 0.4 dB，功率附加效率大于 70%，最高点达到了 73%，而体积仅有 14×10 mm。
关键词：L 波段；功率放大器；小型化
DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.02.016
中图分类号：TN722 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2022）02-0063-03
A Scheme for L-band Miniaturized Power Amplifier
GUAN Tongxin
(The 13th Research Institute of China Electronics Technology Corporation, Shijiazhuang 050051, China)
Abstract: In order to solve the problem that the bonding line of traditional internal matching power amplifier is too long in L-band and below, microstrip structure is used to replace it, and the circuit size is reduced by optimizing the circuit layout; simplify the inter stage matching circuit and further reduce the circuit size; the input matching circuit adopts low-end gain suppression circuit to solve the problem of high low-end gain. Finally, a 1.2～1.4 GHz power amplifier is developed. The test results show that when the drain source voltage is 28 V, the pulse width is 200 us and the duty cycle is 20%, the power gain is greater than 25 dB, all the output power reach 80 W, the power flatness is 0.4 dB, the power added efficiency is greater than 70% and the highest point reaches 73%. The volume is only 14×10 mm.
Keywords: L-band; power amplifier; miniaturization
参考文献：
[1] 余振坤，刘登宝 .S 波段宽带 GaN 芯片高功率放大器的应用研究 [J]. 微波学报，2011，27（2）：68-71.
[2] Ui N，Sano S.A 100W class-E GaN HEMT with 75% Drain Efficiency at 2 GHz [C]//2006 European Microwave Integrated Circuits Conference.Manchester：IEEE，2006：72-74.
[3] Mitani E，Aojima M，Sano S.A kW-class AlGaN/GaN HEMT Pakket Amplifier for S-band High Power Aoolication [C]//2007 European Microwave Integrated Circuit Conference.Munich：IEEE，2007：176-179.
[4] 孙春妹，钟世昌，陈堂胜，等 .Ku 波段 20WAlGaN/GaN 功率管内匹配技术研究 [J]. 电子与封装，2010，10（6）：23-25+38.
[5] 余振坤，郑新 .SiC 宽禁带功率器件在雷达发射机中的应用分析 [J]. 微波学报，2007（3）：61-6
作者简介：关统新（1987—），男，汉族，甘肃白银人，工程师，硕士研究生，主要研究方向：GaN 功率放大器。