摘 要：压敏电阻器的性质对电子整机和设备的稳定性能起着至关重要的作用。在电子整机和电子设备中需要使用轴向压敏电阻器，其具有过电压保护、消噪、限幅、防雷、保护半导体器件等作用，是各种电子、通信、信息、军事及航天等军工电子产品的重要组件。对轴向引出片式压敏电阻外形尺寸设计、限位电压和能量耐量等进行了研究，报告了轴向引出片式压敏电阻作用、制作工艺和设计现状，进行了轴向引出片式压敏电阻器的使用需求和应用场景展开了调查，对轴向压敏电阻器的流延成膜制备控制、排胶烧成工艺曲线等关键技术进行了研究。
关键词：片式压敏电阻器；轴向引出；低钳位电压；无极性
DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.24.013
中图分类号：TM54 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2022）24-0054-03
Research on the Key Technology of a Chip Varistor with Low Clamping Voltage Axial Elicitation
LUO Wanxian
(Guangzhou Chuangtian Electronic Technology Co., Ltd., Guangzhou 510700, China)
Abstract: The properties of varistors play an important role in the stability of electronic complete machines and equipment. Axial varistors are required to be used in electronic complete machines and electronic equipment. They have the functions of overvoltage protection, noise elimination, amplitude limiting, lightning protection, and semiconductor device protection and so on. They are important components of various military electronic products such as electronics, communications, information, military and aerospace. The external dimension design, limiting voltage and energy tolerance of the axial elicitation chip varistor are studied. The function, manufacturing process and current design status of the axial elicitation chip varistor are reported. The use requirements and application scenarios of the axial elicitation chip varistor are investigated. The key technologies of the axial elicitation chip varistor, such as tape casting film preparation control, rubber discharge firing process curve, are studied.
Keywords: chip varistor; axial elicitation; low clamping voltage; nonpolarity
参考文献：
[1] 全国电子设备用阻容件标准化技术委员会 . 电子设备用压敏电阻器第 1 部分：总规范：GB/T 10193-1997 [S]. 北京：中国标准出版社，1997.
[2] 全国电子设备用阻容件标准化技术委员会 . 电子设备用压敏电阻器第 2 部分：分规范浪涌抑制型压敏电阻器：GB/T 10194-1997 [S]. 北京：中国标准出版社，1997.
[3] 王振林，李盛涛 . 氧化锌压敏陶瓷制造及应用 [M]. 北京：科学出版社，2017.
[4] 程宽，赵洪峰，周远翔 .B_2O_3 掺杂对直流 ZnO 压敏电阻老化特性的影响 [J]. 电工技术学报，2022，37（13）：3413-3421.
[5] 潘建 . 电子产品的瞬变和浪涌防护 [J]. 国外电子元器件，2001（2）：11-14.
[6] 贾广平 . 片式氧化锌压敏电阻器与 TVS 管的 ESD 应用技术误区分析 [J]. 电子元器件应用，2008（3）：26-29.
作者简介：罗万先（1981—），男，汉族，广东梅州人，高级工程师，本科在读，研究领域：MLCC 及 MLCV 研发和应用。