摘 要：着眼小型化、大功率，对宽禁带半导体中的 GaN 功率器件的宽带内匹配技术进行了研究。基于国产的 GaN 功率器件，采用切比雪夫宽带匹配理论，研制了一款工作频率覆盖 2 GHz ～ 6 GHz 的宽带功率放大器，在设计过程中重点关注了功率放大器在各种工作条件下的稳定性。测试结果表明在漏源电压为 36 V，连续波条件下，在 2 GHz ～ 6 GHz 的带宽内实现了输出功率全部大于 100 W，功率平坦度小于 1.0 dB，功率附加效率大于 38%，最高点达到了 45%。
关键词：宽带；功率放大器；半导体；GaN
DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.01.016
中图分类号：TN722 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2022）01-0060-03
Research on 2 GHz~6 GHz Broadband Power Amplifier
GUAN Tongxin
(The 13th Research Institute of China Electronics Technology Corporation, Shijiazhuang 050051, China)
Abstract: Focusing on miniaturization and high power, the broadband internal matching technology of GaN power devices in wide bandgap semiconductors is studied. Based on domestic GaN power devices and using Chebyshev broadband matching theory, a broadband power amplifier with working frequency covering 2 GHz~6 GHz is developed. In the design process, we focus on the stability of the power amplifier under various working conditions. The test results show that under the condition of 36 V drain source voltage and continuous wave, it realizes that the output power are all more than 100 W, the power flatness is less than 1.0 dB, the power additional efficiency is more than 38% and the highest point reaches 45% in the bandwidth of 2 GHz~6 GHz.
Keywords: broadband; power amplifier; semiconductor; GaN
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作者简介：关统新（1987—），男，汉族，甘肃白银人，工程师，硕士研究生，主要研究方向：GaN 功率放大器与功率组件。